Дослідження перехідних характеристик транзистора МДН структури

Вадим Олегович Довгун; Володимир Сергійович Бєлов

КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2019)

Вадим Олегович Довгун, Володимир Сергійович Бєлов

Остання редакція: 2019-01-14

Анотація

Анотація
Проведено аналіз експерементального дослідження перехідних характеристик двозатворного МДН транзистору. Побудовані графіки залежностей перехідних характеристик при різних видах керування переходами.

Abstract
The analysis of the experimental study of transient characteristics of a two-gate MOS transistor is carried out. Constructed graphs of dependencies of transient characteristics for different types of transition control.

Ключові слова

МДН, транзистор, MOSFET, характеристика, стік, заслін, витік

Посилання

1. В.М. Кичак, В.С. Бєлов, А.С. Бєлов, Б.С. Савчук. Вимірювання параметрів фазоманіпульованих сигналів при частотному мультиплексуванні. ХІ міжнародна конференція Контроль і управління в складних системах (КУСС-2012): Тези доповідей, м.Вінниця, 9 - 11 жовтня 2012 р. – Вінниця: ВНТУ. – 282 с.

2. В.М. Кичак, В.С. Бєлов, А.С. Бєлов. Оцінка впливу кількісних характеристик зміни інформаційного параметру на завадостійкість каналів зв’язку з КАМн. Науковий журнал «Вісник Хмельницького національного університету». – 2012. - №4.- с. 59-62

3. U. Sharma, R. V. H. Booth and M. H. White, "Static and dynamic transconductance of MOSFETs," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 36, no. 5, pp. 954-962, May 1989.

Повний текст: PDF