У даній роботі запропоновано три конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам’ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН. Суть першого методу зводиться до використання двошарового охоронного кільця, легування підзаслінного шару напівпровідника іонами флуора та застосування як підзаслінного шару діелектрика нітріду кремнію. Суть другого методу зводиться до застосування елементів розв’язки тонкоплівкових транзисторів на базі аморфних напівпровідників. А суть третього –  використання як елементів розв’язки тонкоплівкових польових транзисторів на базі АН та елемента перемикання на базі ХСН. 

Structural and technological methods to increase the radiation resistance of a storage device based on MOS-CGS

This paper proposes three design and technological methods to increase the radiation resistance of a storage device based on MOS-CGS. The essence of the first method is to use a two-layer protective ring, doping the undercurrent layer of the semiconductor with fluoride ions and the use of silicon nitride dielectric as the undercurrent layer. The essence of the second method is to use the decoupling elements of thin-film transistors based on amorphous semiconductors. And the essence of the third is the use of thin-film field-effect transistors based on AN and switching element based on CGS as isolation elements.