КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, 
Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)

Розмір шрифта: 
Фоторезистивний та фотогальванічний ефекти у напівпровідниках
Дмитро Русланович Ільчук, Олександр Володимирович Осадчук

Остання редакція: 2021-10-12

Анотація


В даній статті поданий фоторезистивного та фотогальванічного ефекту у напівпровідниках, їх актуальні дослідження та математичні описи даних процесів.

Ключові слова


фоторезист; електричне поле; індуктивний ефект; напівпровідник;

Посилання


1.E.M.Godjaev, A.M.Maqerramov, Sh.A.Zeynalov, S.S.Osmanova, E.A.Allaxyarov Electronic processing of materials, № 6, 91 (2010)

2. [LeventParali, Mirza A. Kurbanov, Azad A. Bayramov, N.Tatardar Farida, Ramazanova I.
Sultanakhmedova, X. Huseynova Gulnara, Journal of Electronic Materials

3. Киреев П.С. Физика полупроводников. –М.:Высшая школа, 1975.–583 с

4. Осадчук В.С. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах. –К.: Вища школа, 1987. –155 с.

5.  Осадчук В.С., Осадчук О.В. Реактивні властивості транзисторів і транзисторних схем. –Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 1999. –275с.

6. Федотов Я.А. Основи фізики напівпровідникових приладів. –К.: Вища школа, 1972. – 506 с.

7. Осадчук В.С., Осадчук О.В. Напівпровідникові перетворювачі інформації –Вінниця, 2004. –208с.


Повний текст: PDF