Розмір шрифта:
ПІДХОДИ ТА ВИМОГИ ДЛЯ МОДЕЛЮВАННЯ СТРУКТУРИ РЕЛЬЄФУ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ШАРУ СОНЯЧНОГО ЕЛЕМЕНТУ
Остання редакція: 2021-10-18
Анотація
Розглянуті та проаналізовані існуючі моделі сонячного елементу. Аналіз моделей показав, що розрахунок основних електрофізичних параметрів (струм короткого замикання, напруга холостого ходу) приводиться без урахування змін величини площі активної сприймаючій поверхні рельєфу напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача. Це істотно впливає на розрахунок величини вихідної потужності та коефіцієнта корисної дії, а також знижує точність та стабільність вольт-амперної и вольт-ватної характеристик сонячного елементу. Запропоновано розрахунок площі активної сприймаючій поверхні рельєфу напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача, проводити на основі моделювання процесів в структурі рельєфу напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача, що має фрактальні властивості.
Ключові слова
сонячний елемент; фотоелектричний перетворювач; вольт-амперна характеристика; вихідна потужність; коефіцієнт корисної дії
Повний текст:
PDF