Розмір шрифта:
ТУНЕЛЬНИЙ ЕФЕКТ ТА ЙОГО ЗАСТОСУВАННЯ В СУЧАСНІЙ ЕЛЕКТРОНІЦІ
Остання редакція: 2026-05-25
Анотація
Розглядаються фізичні принципи квантового тунелювання електронів, що використовуються в наноелектроніці. Проаналізовано математичну залежність ймовірності тунелювання від параметрів потенціального бар'єра, наведено класифікацію та приклади застосування явища в сучасних напівпровідникових приладах. Описано перспективи використання тунельного ефекту для подальшої мініатюризації обчислювальних систем та розвитку квантових технологій.
TUNNEL EFFECT AND ITS APPLICATION IN MODERN ELECTRONICS
Abstract
The physical principles of quantum tunneling of electrons used in nanoelectronics are considered. The mathematical dependence of tunneling probability on the potential barrier parameters is analyzed, and the classification and examples of the phenomenon application in modern semiconductor devices are provided. The prospects of using the tunneling effect for further miniaturization of computing systems and the development of quantum technologies are described.
TUNNEL EFFECT AND ITS APPLICATION IN MODERN ELECTRONICS
Abstract
The physical principles of quantum tunneling of electrons used in nanoelectronics are considered. The mathematical dependence of tunneling probability on the potential barrier parameters is analyzed, and the classification and examples of the phenomenon application in modern semiconductor devices are provided. The prospects of using the tunneling effect for further miniaturization of computing systems and the development of quantum technologies are described.
Ключові слова
тунельний ефект; квантове тунелювання; нанотехнології; тунельний транзистор; флеш-пам'ять; кубіт
Посилання
Азаренков М. О., Неклюдов І. М., Воєводін В. М. Вступ до наноматеріалознавства та нанотехнологій. — Харків : ХНУ імені В. Н. Каразіна, 2019. — 312 с.
Борисенко В. Є., Данилюк О. Л. Наноелектроніка : навч. посіб. — Київ : Вища школа, 2021. — 245 с.
Seabaugh A. C., Zhang Q. Low-Voltage Tunnel Field-Effect Transistors // Proceedings of the IEEE. — 2010. — Vol. 98, No. 12. — P. 2095–2110.
Ionescu A. M., Riel H. Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches // Nature. — 2011. — Vol. 479. — P. 329–337.
Коваль І. П., Мельник П. В. Фізичні основи мікро- та наноелектроніки : підручник. — Київ : ВПЦ "Київський університет", 2022. — 410 с.
Lundstrom M. Fundamentals of Nanotransistors. Dynamic bucketing and quantum transport. — New Jersey : World Scientific Publishing, 2017. — 280 p.
Борисенко В. Є., Данилюк О. Л. Наноелектроніка : навч. посіб. — Київ : Вища школа, 2021. — 245 с.
Seabaugh A. C., Zhang Q. Low-Voltage Tunnel Field-Effect Transistors // Proceedings of the IEEE. — 2010. — Vol. 98, No. 12. — P. 2095–2110.
Ionescu A. M., Riel H. Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches // Nature. — 2011. — Vol. 479. — P. 329–337.
Коваль І. П., Мельник П. В. Фізичні основи мікро- та наноелектроніки : підручник. — Київ : ВПЦ "Київський університет", 2022. — 410 с.
Lundstrom M. Fundamentals of Nanotransistors. Dynamic bucketing and quantum transport. — New Jersey : World Scientific Publishing, 2017. — 280 p.
Повний текст:
PDF