Остання редакція: 2025-06-30
Анотація
У роботі розглянуто проблему насичення струму в області негативної диференціальної провідності в резонансно-тунельних діодах (RTD), яка виникає в традиційних компактних моделях. Запропоновано нову ненасичуючу модель, що базується на використанні модифікованої функції з асимптотичною поведінкою вищого порядку, яка точніше описує профіль прозорості тунельного бар’єра.
ELIMINATION OF CURRENT SATURATION IN THE REGION OF NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
Abstract
The paper deals with the problem of current saturation in the negative differential conduction region in resonant tunnel diodes (RTDs), which arises in traditional compact models. A new non-saturating model based on the use of a modified function with higher-order asymptotic behaviour is proposed, which more accurately describes the transparency profile of the tunnel barrier.
Ключові слова
Посилання
1. Rothmayr, F.; Castro, E.D.G.; Hartmann, F.; Knebl, G.; Schade, A.; Höfling, S.; Koeth, J.; Pfenning, A.; Worschech, L.; Lopez-Richard, V. Resonant tunneling diodes: Mid-infrared sensing at room temperature. Nanomaterials 2022, 12, 1024.
2. Cimbri, D.; Wang, J.; Al-Khalidi, A.; Wasige, E. Resonant tunneling diodes high-speed terahertz wireless communications—A review. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2022, 12, 226–244.