КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, 
Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2019)

Розмір шрифта: 
ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ N-P-N ТРАНЗИСТОРУ В СХЕМІ СПІЛЬНИЙ ЕМІТЕР
Іванна Петрівна Бриндак, Володимир Сергійович Бєлов

Остання редакція: 2019-01-14

Анотація


Проведено дослідження властивостей транзистора N-P-N структури на прикладі КТ817Б. Отримані вхідні та вихідні характеристики, проаналізовані коефіцієнти передачі по струму та підсилення за напругою.


Ключові слова


біполярний, транзистор, статичні, властивості, N-P-N

Посилання


1. Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог [Електронний ресурс] // joyta.ru | все для радиолюбителя. – 20/01/2016. – Режим доступу до ресурсу: http://www.joyta.ru/8058-tranzistor-kt817-parametry-cokolevka-analog/.

 

2. Терещук Р. М. Полупроводниковые приёмно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя / Р. .М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов.- Киев: Наук.думка, 1988. — 800 с.

 

3. Вихідні ВАХ [Електронний ресурс] // Студопедія. – 08/12/2014. – Режим доступу до ресурсу: https://studopedia.org/6-34185.html.


Повний текст: PDF