Остання редакція: 2023-11-12
Анотація
У роботі здійснено аналіз сучасних досягнень в області мікроелектронних тензочутливих перетворювачів. Досліджено фізичний механізм дії тиску на напівпровідники. Виконано оцінювання метрологічних параметрів тензочутливих перетворювачів тиску.
MICROELECTRONIC STRAIN-SENSITIVE TRANSDUCERS
Abstract
The paper analyzes modern achievements in the field of microelectronic strain-sensitive transducers. The physical mechanism of pressure action on semiconductors is investigated. The metrological parameters of strain-sensitive pressure transducers are estimated.
Ключові слова
Посилання
Крушевський Ю.В. Настроювання, регулювання та обслуговування РЕА. Навчальний посібник / Крушевський Ю.В., Шутило М.А., Семенов А.О., Коваль К.О. – Вінниця: ВНТУ, 2015. – 160 с.
Рудик А.В. До визначення точності результатів вимірювань / Рудик А.В., Дрючин О.О., Семенов А.О. // Матеріали VIII міжнародної науково-практичної конференції “Наука і освіта ’2005”. Том 62. Техніка. – Дніпропетровськ: Наука і освіта, 2005. – С. 35-37.