Остання редакція: 2023-11-07
Анотація
Новий напівпровідниковий матеріал тетракіс-µ3-(метоксо)(метанол)-пентакіс(ацетилацетонато) (трикупрум(ІІ), диспрозій(ІІІ)) (І), такого складу: [Cu3Dy(AA)5(OCH3)4CH3OH], де HAA = H3C–C(O)–CH2–C(O)–CH3. Вимірювання електропровідності отриманого матеріалу проводили в пресованому вигляді. Для комплексної сполуки (І) розраховано кількість валентних електронів в одній молекулі – 276; масу однієї молекули -; загальну кількість молекул в об’ємі циліндричного зразка масою 0,138 г та об’ємом 19,72∙10-9 м3 - ; В інтервалі температур 303 – 413 К питомий опір пресованого зразка зменшується від 9∙1010 до 7∙104 Ом∙см, це підтверджує, що виділена сполука є напівпровідником, з шириною забороненої зони 1,38еВ. Досліджено електропровідні властивості комплексної сполуки від величини магнітного поля.
Research OF THE DEPENDENCES OF ELECTRICAL PARAMETERS (COPPER, DYSPROSIUM) CONTAINING A COMPLEX COMPOUND ON THE MAGNETIC FIELD
Abstract. A new semiconductor material tetrakis-µ3-(methoxy)(methanol)-pentakis(acetylacetonato) (tricuprum(II), dysprosium(III)) (I), with the following composition: [Cu3Dy(AA)5(OCH3)4CH3OH], where HAA = H3C–C(O)–CH2–C(O)–CH3. The electrical conductivity of the obtained material was measured in pressed form. For the complex compound (I), the number of valence electrons in one molecule was calculated to be 276; mass of one molecule - ; the total number of molecules in the volume of a cylindrical sample with a mass of 0.138 g and a volume of 19.72∙10-9 m3 - ; In the temperature range of 303 – 413 K, the resistivity of the pressed sample decreases from 9∙1010 to 7∙104 Ω∙cm, which confirms that the selected compound is a semiconductor with a band gap of 1.38eV. The conductive properties of the complex compound as a function of the magnetic field were investigated.
Ключові слова
Посилання
Koksharova T. V. Solid State Conductivity and Catalytic Activity of Hexacyanoferrate(II)–Thiosemicarbazide Complexes of 3d-Metals / [T. V. Koksharova, N. V. Masleeva, A. A. Ptashchenko, S. V. Fel'dman] // Theoretical and Experimental Chemistry. – 2002. – Vol. 38, No 4. – P. 263–267.
O. Osadchuk, V. Martyniuk, O. Semenova, I. Osadchuk, M. Evseeva, T. Yushchenko, 2020 IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), art. no. 19668871, 43 (2020).
N.J. Blasdel, C.N. Monty, Smart Sensors, Measurement and Instrumentation 15, 193 (2015).
O. Osadchuk, V. Martyniuk, O. Semenova, A. Semenov, H. Martyniuk, T. Sydoruk, 2022 IEEE 16th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET), art. no. 21757621, 432 (2022).
R. Candra, N. Flaminggo, A. Natalia, E. Yuliza, K. Khairurrijal, J. Phys.: Conf. Series 1204, 012116 (2019).
Самусь Н. М. Гетерометаллические (лантаноид или иттрий, р- или d-элемент)содержащие N,N'-этилен-бис-салицилидениминаты / [Н. М. Самусь, И. В. Хорошун, И. В. Синица, М. В. Гандзий] // Коорд. химия.– 1993. – Т. 19, № 9. – С. 729–732.
Самусь Н. М. Гетерометаллические µ-алкоксо(медь, висмут)содержащие ацетилацетонаты / Н. М. Самусь, В. И. Цапков, М. В. Гандзий // Журнал общей химии.– 1993. – Т. 63, № 1. – С. 177–182.
Гетероядерные µ-метоксо(медь, иттрий или лантаноид) ацетилацетонаты / [Н. М. Самусь, М. В., Гандзий, В. И. Цапков,] // Журнал общей химии.– 1992. – Т. 62, В. 3. – С. 510-515.