КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)

Розмір шрифта: 
ДОСЛІДЖЕННЯ ДИНАМІЧНОЇ N-СИСТЕМИ СПРОТТА
Богдан Олегович Пінаєв, Ольга Володимирівна Білик, Андрій Олександрович Семенов

Остання редакція: 2021-11-02

Анотація


У роботі представлено огляд дисипативних систем, представлено математичну модель одного з них, та представлено результати практичного моделювання в лабораторних умовах для перевірки дійсності роботи таких рівнянь.

 

 

STUDY OF THE DYNAMIC N-SYSTEM OF SPROTT 

Abstract. The paper presents an overview of dissipative systems, presents a mathematical model of one of them, and presents the results of practical modeling in the laboratory to verify the validity of such equations.


Ключові слова


дисипативні системи; математична модель; нелінійні рівняння; dissipative systems; mathematical model; nonlinear equations

Посилання


1. Спротт Х.К. Деякі прості хаотичні потоки, Фізична редакція E 50, стор. R647-650, 1994

 

2. Sprott Systems Circuits - Glen's Stuff. URL: http://www.glensstuff.com/sprottsystems/sprottsystems.htm

 

3. J.C. Sprott. Some simple chaotic flows. Physical Review B, Vol. 50, No 2, pp. 50-52, 1994.

 

4. A. Semenov, O. Osadchuk, O. Semenova, K. Koval, S. Baraban, A. Savytskyi. A Deterministic Chaos Ring Oscillator Based on a MOS Transistor Structure with Negative Differential Resistance. 2019 IEEE International Scientific-Practical Conference Problems of Infocommunications, Science and Technology (PIC S&T), 2019, pp. 709-714, doi: 10.1109/PICST47496.2019.9061330.

 

5. A. Semenov, O. Osadchuk, O. Semenova, O. Bisikalo, O. Vasilevskyi, O. Voznyak. Signal Statistic and Informational Parameters of Deterministic Chaos Transistor Oscillators for Infocommunication Systems. 2018 International Scientific-Practical Conference Problems of Infocommunications. Science and Technology (PIC S&T), 2018, pp. 730-734, doi: 10.1109/INFOCOMMST.2018.8632046.

 

6. A. Semenov. Mathematical model of the microelectronic oscillator based on the BJT-MOSFET structure with negative differential resistance. 2017 IEEE 37th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2017, pp. 146-151, doi: 10.1109/ELNANO.2017.7939736.


Повний текст: PDF