КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, 
Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2021)

Розмір шрифта: 
МАГНІТНИЙ ПЕРЕТВОРЮВАЧ НА ОСНОВІ БІПОЛЯРНОГО І ДВОЗАТВОРНОГО МДН ТРАНЗИСТОРІВ З СЕНСОРОМ ХОЛЛА
Олександр Володимирович Осадчук, Володимир Степанович Осадчук, Галина Іванівна Мартинюк

Остання редакція: 2021-10-12

Анотація


Розроблено математичну модель сенсора магнітного поля, з якої визначено аналітичні залежності функцій перетворення і чутливості. Найбільша чутливість перетворювача лежить у діапазоні від  1 мТл до 175 мТл і складає  500…950 Гц/мТл. Використання принципу перетворення «індукція магнітного поля-частота» дозволяє суттєво покращити метрологічні  показники перетворювача магнітного поля.

Ключові слова


перетворювач магнітного поля; частота; від’ємний диференційний опір; математична модель

Посилання


1. Джексон Р.Г. Новейшие датчики. –Москва: Техносфера, 2007. – 384 с.

2. Дж. Фрайден. Современные датчики. Справочник.– Москва: Техносфера, 2005. - 592 с.

3. Optical Sensors. Industrial Environmental and Diagnostic Applications. Ramaier Narayanaswamy Otto S. Wolfbeis. Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2004.  – 423 p.

4 V.S. Osadchuk, A.V. Osadchuk. Radiomeasuring Microelectronic Transducers of Physical Quantities // Proceedings of the 2015 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). 21-23 May 2015. Omsk. DOI: 10.1109/SIBCON.2015.7147167

5. A.V.Osadchuk, V.S. Osadchuk, I.O. Osadchuk, N.V. Titova, O.Yu. Pinaeva, Piotr Kisała, Saule Rakhmetullina, Aliya Kalizhanova, Zhanar Azeshova. Optical-frequency gas flow meter on the basis of transistor structures with negative differential resistance // Proc. SPIE 11456, Optical Fibers and Their Applications 2020, 114560F (12 June 2020); –P.74-81. https://doi.org/10.1117/12.2569771

6.Осадчук В. С., Осадчук О. В. Реактивные свойства транзисторов и транзисторных схем. Винница: «Универсум-Винница», 1999.  – 275 с.

7. Osadchuk A.V., Osadchuk V.S., Osadchuk I.A., Seletska O.O., Kisała P., Nurseitova K. Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors. Proceedings SPIE Volume 11176, Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments, 2019; 111761I (2019). 

8. Osadchuk A.V., Osadchuk V.S., Osadchuk I.A., Maksat Kolimoldayev, Paweł   Komada, Kanat  Mussabekov. Optical transducers with frequency output. Proc. SPIE 10445, Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High Energy Physics Experiments, 2017, 104451X (2017).


Повний текст: PDF