КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, 
Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)

Розмір шрифта: 
ЧИСЕЛЬНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСУ ТЕРМІЧНОЇ ДЕГРАДАЦІЇ ДІЕЛЕКТРИКІВ У СИЛЬНИХ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПОЛЯХ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО
Софія Славівна Сарафінчан, Володимир Валерійович Мартинюк

Остання редакція: 2026-05-22

Анотація


Досліджено кінетику накопичення мікроскопічних пошкоджень у твердих діелектричних шарах під впливом інтенсивних електричних полів. На основі статистичного моделювання методом Монте-Карло відтворено динаміку зародження та розростання локальних дефектів, що призводять до формування провідних каналів (філаментів). Визначено характер залежності часу безвідмовної роботи мікроелектронних компонентів від напруженості прикладеного поля та температурних флуктуацій.


NUMERICAL SIMULATION OF THE PROCESS OF THERMAL DEGRADATION OF DIELECTRICS IN STRONG ELECTRIC FIELDS USING THE MONTE CARLO METHOD
Abstracts: The kinetics of microscopic damage accumulation in solid dielectric layers under the influence of intense electric fields has been investigated. Based on statistical simulation using the Monte Carlo method, the dynamics of nucleation and growth of local defects leading to the formation of conductive channels (filaments) are reproduced. The dependence of the lifetime of microelectronic components on the applied field strength and temperature fluctuations has been determined.

Ключові слова


термічна деградація; тверді діелектрики; метод Монте-Карло; електричний пробій; обчислювальне моделювання; струмопровідні філаменти; thermal degradation; solid dielectrics; Monte Carlo method electrical breakdown; computational modeling.

Посилання


1.Головко Д. Б. Основи фізики : навч. посібник / Д. Б. Головко, К. Г. Рего, Ю. О. Скрипник. — К. : Либідь, 2005. — 448 с.

2. Кучерук І. М. Загальний курс фізики : навч. посібник у 3-х т. Т. 2. Електрика і магнетизм / І. М. Кучерук, І. Т. Залевський, Б. М. Яворський. — К. : Техніка, 2006. — 452 с.

3. Choi S. Physical modeling of time dependent dielectric breakdown (TDDB) of BEOL oxide using Monte Carlo particle simulation [Електронний ресурс] / S. Choi, C.-K. Baek // ResearchGate. — 2016. — Режим доступу: https://www.researchgate.net/publication/286660598_Physical_modeling_of_time_dependent_dielectric_breakdown_TDDB_of_BEOL_oxide_usin g_Monte_Carlo_particle_simulation.

4. Поплавко Ю. М. Фізика діелектриків : підручник / Ю. М. Поплавко. — К. : НТУУ «КПІ», 2007. — 384 с.

5. Choi S. Stochastic simulation of the NBTI and FN relaxation using the 3D Monte Carlo Method [Електронний ресурс] / S. Choi, C.-K. Baek // ResearchGate. — 2016. — Режим доступу: https://www.researchgate.net/publication/286660598_Physical_modeling_of_time_dependent_dielectric_breakdown_TDDB_of_BEOL_oxide_using_Monte_Carlo_particle_simulation.

Повний текст: PDF