Розмір шрифта:
ФІЗИКО-МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТА РОЗРАХУНОК КРИТИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ЕТАПІВ ФОРМУВАННЯ НАНОЧИПІВ
Остання редакція: 2026-05-31
Анотація
Розглянуто послідовність фізико-хімічних процесів, що застосовуються при створенні сучасних напівпровідникових наночипів. Детально описано етапи вирощування монокристалічного кремнію, термічного окислення, фотолітографії, плазмового травлення та іонної імплантації. Наведено фізичні принципи, які забезпечують формування наноструктур на кожному технологічному етап
Ключові слова
метод Чохральського, модель Діла-Гроува, EUV-літографія, іонна імплантація, еквівалентна товщина оксиду (EOT), квантове тунелювання
Посилання
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
1. Sze S. M., Ng K. K. Physics of Semiconductor Devices. – Wiley, 2006. – https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/0470068329
2. Bhosale P. P. Advanced Photolithography: Techniques and Applications. – Springer, 2023. –
https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-031-25014-9
3. Kuo P. S. The Future of Nanoelectronics: Beyond CMOS. – Nature, 2021. – https://www.nature.com/articles/s41586-021-03352-x
4. Deal B. E., Grove A. S. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon. – Journal of Applied Physics. – https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.1713945
1. Sze S. M., Ng K. K. Physics of Semiconductor Devices. – Wiley, 2006. – https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/0470068329
2. Bhosale P. P. Advanced Photolithography: Techniques and Applications. – Springer, 2023. –
https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-031-25014-9
3. Kuo P. S. The Future of Nanoelectronics: Beyond CMOS. – Nature, 2021. – https://www.nature.com/articles/s41586-021-03352-x
4. Deal B. E., Grove A. S. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon. – Journal of Applied Physics. – https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.1713945
Повний текст:
PDF