КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, 
Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2024)

Розмір шрифта: 
ОСОБЛИВОСТІ ВИКОРИСТАННЯ GAN ТРАНЗИСТОРІВ В ЗАРЯДНИХ ПРИСТРОЯХ
Назар Олександрович Черневський, В'ячеслав Андрійович Шатайло

Остання редакція: 2024-04-21

Анотація


У даній роботі розглядається використання GaN транзисторів в зарядних пристроях, їх технічні та функціональні особливості.

 

FEATURES OF USING GAN TRANSISTORS IN CHARGERS

 

Abstract 
This work examines the use of GaN transistors in charging devices, their technical and functional features.


Ключові слова


нітрид галію; GaN; зарядний пристрій; Gallium nitride; charger

Посилання


1. Monolith vs Microservice Architecture: A Comparison [Електронний ресурс]. – Режим доступу: https://camunda.com/blog/2023/08/monolith-vs-microservice-architecture-comparison/

 

2. Gallium nitride [Електронний ресурс]. – Режим доступу: https://en.wikipedia.org/wiki/Gallium_nitride

 

3. Що таке зарядний пристрій GaN і чи потрібен він вам? [Електронний ресурс]. – Режим доступу: https://techtoday.in.ua/reviews/shho-take-zaryadnyj-prystrij-gan-i-chy-potriben-vin-vam-162143.html

 

4. What Is a GaN Charger, and Why Do You Need One? [Електронний ресурс]. – Режим доступу: https://blog.ravpower.com/2022/08/what-is-a-gan-charger-and-why-do-you-need-one/


Повний текст: PDF