КОНФЕРЕНЦІЇ ВНТУ електронні наукові видання, 
Актуальні проблеми бойового застосування та експлуатації і ремонту зразків озброєння та військової техніки (2023)

Розмір шрифта: 
ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ ПЕРЕДАВАЧА СТАНЦІЇ АКТИВНИХ ЗАВАД Л-203Б ЛІТАКА МІГ-29
Валентин Вікторович Жук, Василь В’ячеславович Корепанов, Микола Миколайович Дігтярь, Анастасія Геннадіївна Козлова

Остання редакція: 2023-11-13

Анотація


В даній тезі запропоновано один з варіантів підвищення ефективності  систем радіоелектронної боротьби, а саме станції активних завад Л-203Б, що дозволить покращити технічні характеристики станції та в цілому вплине на якість роботи та експлуатацію виробу.



Ключові слова


радіоелектронна боротьба; станція активних завад; лампа біжучої хвилі; твердотільний підсилювач; GaN-технологія

Посилання


 

  1. Belous, O.I. & Anatoliy, Kirilenko & Natarov, M. & Sirenko, Svitlana & Fisun, A. & Shubny, A.. (2018). Quasioptical millimeter wave solid-state generator. RADIOFIZIKA I ELEKTRONIKA. 23. 67-94. 10.15407/rej2018.04.067.
  2. Бондаренко І.М. Мікроелектроніка НВЧ. Ч.2. Напівпровідникові елементи та пристрої НВЧ: навч. посібник для студентів ЗВО. – Харків: ХНУРЕ, 2019. – 172 с.
  3. Waliwander T., Fehilly M., O'Brien E. An ultra-high efficiency high power Schottky varactor frequency doubler to 180–200 GHz //2016 Global Symposium on Millimeter Waves (GSMM) & ESA Workshop on Millimetre-Wave Technology and Applications. – IEEE, 2016. – С. 1-4.
  4. Runton D. W. et al. History of GaN: High-power RF gallium nitride (GaN) from infancy to manufacturable process and beyond //IEEE Microwave Magazine. – 2013. – Т. 14. – №. 3. – С. 82-93.
  5. Waltereit P. et al. GaN‐based high voltage transistors for efficient power switching //physica status solidi c. – 2013. – Т. 10. – №. 5. – С. 831-834.
  6. Zhang B. et al. A novel 220-GHz GaN diode on-chip tripler with high driven power //IEEE Electron Device Letters. – 2019. – Т. 40. – №. 5. – С. 780-783.
  7. Liang S. et al. A 177–183 GHz high-power GaN-based frequency doubler with over 200 mW output power //IEEE Electron Device Letters. – 2020. – Т. 41. – №. 5. – С. 669-672.
  8. Liu H. et al. 120 GHz Frequency-Doubler Module Based on GaN Schottky Barrier Diode //Micromachines. – 2022. – Т. 13. – №. 8. – С. 1172.
  9. Schuh P. et al. GaN-based amplifiers for wideband applications //International journal of microwave and wireless technologies. – 2010. – Т. 2. – №. 1. – С. 135-141.

Повний текст: PDF